據(jù)中國光谷3月4日消息，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。

        此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發(fā)功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術(shù)。

        近年來，由于5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能等行業(yè)的強力驅(qū)動，光子集成技術(shù)得到極大關(guān)注。公開資料顯示，光子集成的概念類可以比于電子集成(集成電路技術(shù))，其核心是將光學(xué)系統(tǒng)集成到一顆芯片上的技術(shù)體系。光子集成芯片可將光學(xué)系統(tǒng)的體積縮小上千倍、重量降低上千倍，被認為是未來信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使能技術(shù)。

        目前主流的光子集成芯片可以根據(jù)其材料體系分為介質(zhì)材料光子集成體系、三五族光子集成體系、硅光子集成體系、鈮酸鋰光子集成體系等。不同的材料體系各有其優(yōu)缺點。鈮酸鋰以其大透明窗口、低傳輸損耗、良好的光電/壓電/非線性等物理性能以及優(yōu)良的機械穩(wěn)定性等被認為是理想的光子集成材料，而單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領(lǐng)域長期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調(diào)制功耗需求提供了至今為止綜合性能最優(yōu)的解決方案。

        目前，業(yè)界對薄膜鈮酸鋰的研發(fā)還主要集中在3寸、4寸、6寸晶圓的制備及片上微納加工工藝上。九峰山實驗室工藝中心基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，開發(fā)與之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝，成功研發(fā)出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，實現(xiàn)低損耗鈮酸鋰波導(dǎo)、高帶寬電光調(diào)制器芯片、高帶寬發(fā)射器芯片集成。據(jù)悉該項成果為目前全球綜合性能最優(yōu)的光電集成芯片。